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文献
J-GLOBAL ID：201702242103657453
整理番号：17A0702760
CO単分子層:優れた機械的性質を有する新しい直接バンドギャップ半導体の第一原理設計【Powered by NICT】
A CO monolayer: first-principles design of a new direct band-gap semiconductor with excellent mechanical properties
Teng Zi-Wei
(Key Laboratory of Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China. csliu@njupt.edu.cn)
,
Liu Chun-Sheng
,
Yan Xiao-Hong
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 9 号： 17 ページ： 5445-5450 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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