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文献
J-GLOBAL ID：201702242139558752
整理番号：17A1121546
室温持続性光伝導のための革新的堆積後アニーリング法を産生するセンチメートルスケールIn_2O_3/In_2(TeO_3)-3バルクヘテロ接合薄膜【Powered by NICT】
An Innovative Postdeposition Annealing Approach Producing Centimeter-Scale In2O3/In2(TeO3)3 Bulk Heterojunction Thin Film for Room-Temperature Persistent Photoconductivity
Yao Jiandong
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, Guangdong, P. R. China)
,
Zheng Zhaoqiang
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, Guangdong, P. R. China)
,
Yang Guowei
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Nanotechnology Research Center, School of Materials Science and Engineering, School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, 510275, Guangdong, P. R. China)
資料名：
Advanced Optical Materials
(Advanced Optical Materials)
巻： 5 号： 6 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： W2486A ISSN： 2195-1071 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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