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文献
J-GLOBAL ID：201702242265165518
整理番号：17A0644103
総説:ランタン系ニクタイドの薄膜とナノ粒子のIII-V族半導体へのエピタキシャル取込みの概要
Review Article: Overview of lanthanide pnictide films and nanoparticles epitaxially incorporated into III-V semiconductors
Bomberger Cory C.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
,
Lewis Matthew R.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
,
Vanderhoef Laura R.
(Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
,
Doty Matthew F.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716 and Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
,
Zide Joshua M. O.
(Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 3 ページ： 030801-030801-25 発行年： 2017年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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