文献
J-GLOBAL ID:201702242336007652
整理番号:17A0470317
六方晶GaN層とその依存性成長温度における立方晶GaNクラスタの研究【Powered by NICT】
Study of cubic GaN clusters in hexagonal GaN layers and their dependence with the growth temperature
著者 (6件):
Laifi J.
(Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia)
,
Chaaben N.
(Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia)
,
El Gmili Y.
(CNRS, UMI 2958 Georgia Tech-CNRS, 57070 Metz, France)
,
Salvestrini J.P.
(Universite de Lorraine, Centrale Supelec, LMOPS, EA4423, 57070 Metz, France)
,
Bchetnia A.
(Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia)
,
El Jani B.
(Unite de Recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications, Faculte des Sciences de Monastir 5019, Universite de Monastir, Tunisia)
資料名:
Vacuum
(Vacuum)
巻:
138
ページ:
8-14
発行年:
2017年
JST資料番号:
E0347A
ISSN:
0042-207X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)