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文献
J-GLOBAL ID：201702242435126167
整理番号：17A0318560
イオンビーム層除去法と歳差電子回折によって評価したSi(111)基板上のAl_xGa_1xNヘテロ構造の断面応力分布【Powered by NICT】
Cross-sectional stress distribution in AlxGa1-xN heterostructure on Si(111) substrate characterized by ion beam layer removal method and precession electron diffraction
Reisinger M.
(Department of Materials Physics, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria)
,
Zalesak J.
(Department of Physical Metallurgy and Materials Testing, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria)
,
Daniel R.
(Department of Physical Metallurgy and Materials Testing, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria)
,
Tomberger M.
(Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria)
,
Weiss J.K.
(AppFive LLC, Tempe, AZ, USA)
,
Darbal A.D.
(AppFive LLC, Tempe, AZ, USA)
,
Petrenec M.
(TESCAN Brno s.r.o., Libusina tr. 1, Brno, Czech Republic)
,
Zechner J.
(KAI Kompetenzzentrum Automobil - u. Industrieelektronik GmbH, Villach, Austria)
,
Daumiller I.
(Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria)
,
Ecker W.
(Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, Leoben, Austria)
,
Sartory B.
(Materials Center Leoben Forschung GmbH, Roseggerstrasse 12, Leoben, Austria)
,
Keckes J.
(Department of Materials Physics, Montanuniversitaet Leoben, Leoben, Austria)
資料名：
Materials & Design
(Materials & Design)
巻： 106 ページ： 476-481 発行年： 2016年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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