文献
J-GLOBAL ID:201702242437439932
整理番号:17A0085671
積層センサ膜を用いて製作したイオン感応性電界効果トランジスタのセンサ特性に関する研究
Study on Sensing Properties of Ion-Sensitive Field-Effect-Transistors Fabricated With Stack Sensing Membranes
著者 (3件):
Lee Tzu Nien
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chen Henry J. H.
(Department of Electrical Engineering, National Chi Nan University, Nantou, Taiwan)
,
Hsieh Kuang Chien
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
12
ページ:
1642-1645
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)