文献
J-GLOBAL ID:201702242439886437
整理番号:17A0640857
スズ含有量を変えた歪SiGeSn/Si層中の価電子バンドオフセット
Valence-Band Offsets in Strained SiGeSn/Si Layers with Different Tin Contents
著者 (9件):
BLOSHKIN A. A.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
BLOSHKIN A. A.
(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS)
,
YAKIMOV A. I.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
YAKIMOV A. I.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
TIMOFEEV V. A.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
TUKTAMYSHEV A. R.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
NIKIFOROV A. I.
(Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
,
NIKIFOROV A. I.
(National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
,
MURASHOV V. V.
(Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
3
ページ:
329-334
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)