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文献
J-GLOBAL ID：201702242473843703
整理番号：17A0621151
in situシード層を用いた原子層堆積によって得られたグラフェン上のAl2O3薄膜の界面電気特性
Interface Electrical Properties of Al2O3 Thin Films on Graphene Obtained by Atomic Layer Deposition with an in Situ Seedlike Layer
FISICHELLA Gabriele
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
SCHILIRO Emanuela
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
DI FRANCO Salvatore
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
FIORENZA Patrick
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
LO NIGRO Raffaella
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
ROCCAFORTE Fabrizio
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
,
RAVESI Sebastiano
(STMicroelectronics, Catania, ITA)
,
GIANNAZZO Filippo
(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Catania, ITA)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 8 ページ： 7761-7771 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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