文献
J-GLOBAL ID:201702242508644834
整理番号:17A1721428
AlNとGaNの選択エッチングのための分子ビームエピタクシーにより成長させたエピタキシャルScAlNエッチストップ層【Powered by NICT】
Epitaxial ScAlN Etch-Stop Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy for Selective Etching of AlN and GaN
著者 (6件):
Hardy Matthew T.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Downey Brian P.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Meyer David J.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Nepal Neeraj
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Storm David F.
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
,
Katzer D. Scott
(U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
30
号:
4
ページ:
475-479
発行年:
2017年
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)