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文献
J-GLOBAL ID：201702242775450191
整理番号：17A0318061
Ni/n型Ge Schottky障壁ダイオードのSchottky障壁パラメータに及ぼすTa酸化物中間層の影響【Powered by NICT】
Effects of Ta-oxide interlayer on the Schottky barrier parameters of Ni/n-type Ge Schottky barrier diode
Lee Hoon-Ki
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
,
Jyothi I.
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
,
Janardhanam V.
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
,
Shim Kyu-Hwan
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
,
Yun Hyung-Joong
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
,
Yun Hyung-Joong
(Division of Material Science, Korea Basic Science Institute, Daejeon 305-806, Republic of Korea)
,
Lee Sung-Nam
(Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, Siheung 429-793, Republic of Korea)
,
Hong Hyobong
(Electronics & Telecommunication Research Institute (ETRI), Daejeon 305-700, Republic of Korea)
,
Jeong Jae-Chan
(Electronics & Telecommunication Research Institute (ETRI), Daejeon 305-700, Republic of Korea)
,
Choi Chel-Jong
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 163 ページ： 26-31 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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