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文献
J-GLOBAL ID：201702242788584415
整理番号：17A0417623
コンパクト9F21T1MTJ細胞と階層ビット線アーキテクチャを用いた23.5A4Gb LPDDR2STT-MRAM【Powered by NICT】
23.5 A 4Gb LPDDR2 STT-MRAM with compact 9F2 1T1MTJ cell and hierarchical bitline architecture
Rho Kwangmyoung
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Tsuchida Kenji
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Kim Dongkeun
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Shirai Yutaka
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Bae Jihyae
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Inaba Tsuneo
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Noro Hiromi
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Moon Hyunin
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Chung Sungwoong
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Sunouchi Kazumasa
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Park Jinwon
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Park Kiseon
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Yamamoto Akihito
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Chung Seoungju
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Kim Hyeongon
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
,
Oyamatsu Hisato
(Toshiba Electronics Korea, Seoul, Korea)
,
Oh Jonghoon
(SK hynix Semiconductor, Icheon, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 396-397 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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