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文献
J-GLOBAL ID：201702242833470675
整理番号：17A1388123
GaAsエピレディ基板上にMOCVDにより成長させた(100)HgCdTe層上のヒロック形成の研究【Powered by NICT】
Investigation of hillocks formation on (100) HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs epi-ready substrates
Keblowski A.
(Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland)
,
Kopytko M.
(Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland)
,
Mlynarczyk K.
(Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland)
,
Gawron W.
(Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland)
,
Piotrowski J.
(Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland)
,
Martyniuk P.
(Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland)
,
Rogalski A.
(Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland)
資料名：
Infrared Physics & Technology
(Infrared Physics & Technology)
巻： 84 ページ： 87-93 発行年： 2017年
JST資料番号： H0184A ISSN： 1350-4495 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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