前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702242885643720
整理番号：17A0562133
非平衡融解/急冷条件の下で形成された化学的に均質で熱的にロバストなNi1-xPtxSi薄膜
Chemically Homogeneous and Thermally Robust Ni1-xPtxSi Film Formed Under a Non-Equilibrium Melting/Quenching Condition
KIM Jinbum
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
KIM Jinbum
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
CHOI Seongheum
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
PARK Taejin
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
PARK Taejin
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Jinyong
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Chulsung
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
CHA Taeho
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
LEE Hyangsook
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE Hyangsook
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
LEE Eunha
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
WON Jung Yeon
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
LEE Hyung-Ik
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
HYUN Sangjin
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
KIM Sunjung
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
SHIN Dongsuk
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
KIM Yihwan
(Samsung Electronics, Hwaseong, KOR)
,
KWON Keewon
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM Hyoungsub
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 1 ページ： 566-572 発行年： 2017年01月11日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。