文献
J-GLOBAL ID:201702242910419398
整理番号:17A1261720
TDDBのBuettikerプローブに基づくモデリング:MTJとMOSデバイスの絶縁破壊への応用【Powered by NICT】
Buettiker Probe-Based Modeling of TDDB: Application to Dielectric Breakdown in MTJs and MOS Devices
著者 (3件):
Reza Ahmed Kamal
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Hassan Mohammad Khaled
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
,
Roy Kaushik
(School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
8
ページ:
3337-3345
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)