文献
J-GLOBAL ID:201702242972042115
整理番号:17A0594568
フォトキャパシタンス法を用いたCuGaSe2薄膜太陽電池の深い準位欠陥の検討
Investigation of deep-level defects in CuGaSe2 thin-film solar cells using photocapacitance methods
著者 (5件):
HU Xiaobo
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
XUE Juanjuan
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
TIAN Jiao
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
WENG Guoen
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Shaoqiang
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Applied Optics
(Applied Optics)
巻:
56
号:
8
ページ:
2330-2335
発行年:
2017年03月10日
JST資料番号:
B0026B
ISSN:
1559-128X
CODEN:
APOPAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)