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文献
J-GLOBAL ID：201702243126467589
整理番号：17A0617095
Snフラックス法により成長させたSr充填Ge系タイプI単結晶包接化合物の熱電特性
Thermoelectric Properties of Sr-Filled Ge-Based Type I Single-Crystal Clathrate Grown by Sn-Flux Method
DENG Shuping
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
,
LIU Hongxia
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
,
LI Decong
(Yunnan Open Univ., Kunming, CHN)
,
WANG Jinsong
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
,
CHENG Feng
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
,
SHEN Lanxian
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
,
DENG Shukang
(Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 46 号： 5 ページ： 2662-2667 発行年： 2017年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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