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文献
J-GLOBAL ID：201702243141724389
整理番号：17A0238406
3D NAND技術における設計課題:層コンデンサを用いた4.8X面積と1.3X電力効率の良い20V電荷ポンプ【Powered by NICT】
Design challenge in 3D NAND technology: A 4.8X area- and 1.3X power-efficient 20V charge pump using tier capacitors
Tanzawa T.
(Micron Memory Japan, Inc., 5-37-1, Kamata, Ota-ku, Tokyo 144-8721, Japan)
,
Murakoshi T.
(Micron Memory Japan, Inc., 5-37-1, Kamata, Ota-ku, Tokyo 144-8721, Japan)
,
Kamijo T.
(Micron Memory Japan, Inc., 5-37-1, Kamata, Ota-ku, Tokyo 144-8721, Japan)
,
Tanaka T.
(Micron Memory Japan, Inc., 5-37-1, Kamata, Ota-ku, Tokyo 144-8721, Japan)
,
McNeil J. J.
(Micron Technology, Inc., Boise, ID 83707, US)
,
Duesman K.
(Micron Technology, Inc., Boise, ID 83707, US)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： A-SSCC ページ： 165-168 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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