文献
J-GLOBAL ID:201702243327750025
整理番号:17A0025450
Pt/n型Si Schottky障壁ダイオードの電気特性に及ぼす酸素プラズマ処理の効果
Effect of Oxygen Plasma Treatment on the Electrical Characteristics of Pt/n-Type Si Schottky Diodes
著者 (6件):
JANARDHANAM V.
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
JYOTHI I.
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
YUK Shim-Hoon
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
CHOI Chel-Jong
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
LEE Sung-Nam
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
REDDY V. Rajagopal
(Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
69
号:
8
ページ:
1321-1327
発行年:
2016年10月31日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)