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文献
J-GLOBAL ID：201702243481983671
整理番号：17A1465184
導かれた固相エピタクシーにおける量子ドットの形成に及ぼす蒸着したままのGe膜の結晶度の影響【Powered by NICT】
Influence of crystallinity of as-deposited Ge film on formation of quantum dot in carbon-mediated solid-phase epitaxy
Takeshima Kaito
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Itoh Yuhki
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Itoh Yuhki
(Division for International Advanced Research and Education (DIARE), Tohoku University, 6-3, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8578, Japan)
,
Itoh Yuhki
(Japan Society for the Promotion of Science Research Fellow for Young Scientists, Kojimachi Business Center Building, 5-3-1 Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083, Japan)
,
Kawashima Tomoyuki
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
,
Washio Katsuyoshi
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05, Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 178-182 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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