文献
J-GLOBAL ID:201702243611628898
整理番号:17A1033103
ミニマルファブシステムにおける窒化けい素膜形成のための新しい小型E CRプラズマ源【Powered by NICT】
New compact ECR plasma source for silicon nitride film formation in minimal fab system
著者 (5件):
Goto Tetsuya
(Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Sato Kei-ichiro
(Kotec Co., LTD.)
,
Yabuta Yuki
(Seinan Industries Co., LTD.)
,
Sugawa Shigetoshi
(Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Hara Shiro
(The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EDTM
ページ:
84-85
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)