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文献
J-GLOBAL ID：201702243650310648
整理番号：17A0362548
FinFET SRAMのためのSBDとB TI効果を考慮した読み出し静的雑音余裕老化モデル【Powered by NICT】
Read static noise margin aging model considering SBD and BTI effects for FinFET SRAMs
Mehrabi Kolsoom
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, College of Engineering, Tehran, Iran)
,
Ebrahimi Behzad
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, College of Engineering, Tehran, Iran)
,
Yarmand Roohollah
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, College of Engineering, Tehran, Iran)
,
Afzali-Kusha Ali
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, College of Engineering, Tehran, Iran)
,
Mahmoodi Hamid
(Department of Electrical and Computer Engineering, San Francisco State University, CA, USA)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 65 ページ： 20-26 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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