文献
J-GLOBAL ID:201702243877349143
整理番号:17A0591707
サブ20nmのNANDフラッシュメモリにおける種々の条件下での保持特性に関する深い理解
Deep Understanding of Retention Characteristics in Various Conditions in Sub 20-nm NAND Flash Memory
著者 (3件):
LEE Kyunghwan
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KANG Myounggon
(Korea National Univ. Transportation, Chungbuk, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
5
ページ:
3155-3159
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)