文献
J-GLOBAL ID:201702243959953834
整理番号:17A1254700
FD UTBOX nMOSFETの静特性および低周波雑音挙動に及ぼす低温動作の影響【Powered by NICT】
Impact of cryogenic temperature operation on static and low frequency noise behaviors of FD UTBOX nMOSFETs
著者 (5件):
Nafaa B.
(Normandie University, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, Caen, France)
,
Cretu B.
(Normandie University, UNICAEN, ENSICAEN, CNRS, GREYC, Caen, France)
,
Ismail N.
(Carthage University, INSAT, MMA, Tunis, Tunisia)
,
Touayar O.
(Carthage University, INSAT, MMA, Tunis, Tunisia)
,
Simoen E.
(Imec, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
95-98
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)