文献
J-GLOBAL ID:201702244011050753
整理番号:17A0620945
直接バンドギャップGe/Ge0.87Sn0.13コア/シェルナノワイヤアレイの成長と光学的性質
Growth and Optical Properties of Direct Band Gap Ge/Ge0.87Sn0.13 Core/Shell Nanowire Arrays
著者 (15件):
ASSALI S.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
DIJKSTRA A.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
LI A.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
LI A.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
LI A.
(Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN)
,
KOELLING S.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
VERHEIJEN M.A.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
VERHEIJEN M.A.
(Philips Innovation Lab. Eindhoven, Eindhoven, NLD)
,
GAGLIANO L.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
VON DEN DRIESCH N.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
BUCA D.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
KOENRAAD P.M.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
HAVERKORT J.E.M.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
BAKKERS E.P.A.M.
(Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
,
BAKKERS E.P.A.M.
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
17
号:
3
ページ:
1538-1544
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)