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文献
J-GLOBAL ID：201702244014650162
整理番号：17A0046667
金属-層間-半導体ソース/ドレインによるランダムドーパント変動誘起閾値電圧変動免疫性Ge FinFET
Random Dopant Fluctuation-Induced Threshold Voltage Variation-Immune Ge FinFET With Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain
Shin Changho
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Kim Jeong-Kyu
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Kim Gwang-Sik
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Lee Hyunjae
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea)
,
Shin Changhwan
(School of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea)
,
Kim Jong-Kook
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
,
Cho Byung Jin
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
,
Yu Hyun-Yong
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 11 ページ： 4167-4172 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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