文献
J-GLOBAL ID:201702244590881145
整理番号:17A0214154
MOSFETとTFETのためのSi上の多重III-V族半導体のモノリシック集積化【Powered by NICT】
Monolithic integration of multiple III-V semiconductors on Si for MOSFETs and TFETs
著者 (7件):
Schmid H.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Cutaia D.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Gooth J.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Wirths S.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Bologna N.
(EMPA, Electron Microscopy Center, 8600 Duebendorf, Switzerland)
,
Moselund K. E.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Riel H.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
3.6.1-3.6.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)