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文献
J-GLOBAL ID:201702244627628143   整理番号:17A0641927

水素発生反応のための単層VS2基底面の電極触媒活性における固有欠陥の役割

The Role of Intrinsic Defects in Electrocatalytic Activity of Monolayer VS2 Basal Planes for the Hydrogen Evolution Reaction
著者 (7件):
ZHANG Yang
(Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei, CHN)
ZHANG Yang
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
CHEN Xiaoshuang
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
HUANG Yan
(Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
ZHANG Chong
(China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN)
LI Feng
(China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN)
SHU Haibo
(China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN)

資料名:
Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)

巻: 121  号:ページ: 1530-1536  発行年: 2017年01月26日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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