文献
J-GLOBAL ID:201702244628260627
整理番号:17A0445234
PECVDを用いて成長させた単一の少数層グラフェンの低温合成と電界放出特性【Powered by NICT】
Low temperature synthesis and field emission characteristics of single to few layered graphene grown using PECVD
著者 (5件):
Kumar Avshish
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
,
Khan Sunny
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
,
Zulfequar M.
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
,
Harsh
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
,
Husain Mushahid
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia (A Central University), New Delhi, India)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
402
ページ:
161-167
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)