文献
J-GLOBAL ID:201702244651929531
整理番号:17A0551424
懸垂した数層グラフェン素子におけるナノメータサイズギャップの形成と評価
Fabrication and characterization of nanometer-sized gaps in suspended few-layer graphene devices
著者 (5件):
LUMETTI S
(Istituto Nanoscienze, CNR, Modena, ITA)
,
LUMETTI S
(Universita degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA)
,
MARTINI L
(Istituto Nanoscienze, CNR, Modena, ITA)
,
MARTINI L
(Universita degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, ITA)
,
CANDINI A
(Istituto Nanoscienze, CNR, Modena, ITA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
2
ページ:
024002,1-7
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)