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文献
J-GLOBAL ID:201702244795489174   整理番号:17A1943196

フォトニック結晶深紫外LEDの実現-p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作-

Achievement of AlGaN deep-UV LED using photonic crystal (PhC)-Achievement of high-EQE(10%) AlGaN deep-UV LED using highly-reflective PhC on p-contact layer-
著者 (15件):
鹿嶋行雄
(丸文)
鹿嶋行雄
(理研)
前田哲利
(理研)
松浦恵里子
(丸文)
松浦恵里子
(理研)
定昌史
(理研)
岩井武
(東京応化工業 開発本部)
森田敏郎
(東京応化工業 開発本部)
小久保光典
(東芝機械)
田代貴晴
(東芝機械)
上村隆一郎
(アルバック 半導体電子技研)
長田大和
(アルバック 半導体電子技研)
倉島優一
(産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ)
高木秀樹
(産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ)
平山秀樹
(理研)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 117  号: 331(ED2017 49-71)  ページ: 55-60  発行年: 2017年11月23日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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