文献
J-GLOBAL ID:201702244795489174
整理番号:17A1943196
フォトニック結晶深紫外LEDの実現-p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作-
Achievement of AlGaN deep-UV LED using photonic crystal (PhC)-Achievement of high-EQE(10%) AlGaN deep-UV LED using highly-reflective PhC on p-contact layer-
著者 (15件):
鹿嶋行雄
(丸文)
,
鹿嶋行雄
(理研)
,
前田哲利
(理研)
,
松浦恵里子
(丸文)
,
松浦恵里子
(理研)
,
定昌史
(理研)
,
岩井武
(東京応化工業 開発本部)
,
森田敏郎
(東京応化工業 開発本部)
,
小久保光典
(東芝機械)
,
田代貴晴
(東芝機械)
,
上村隆一郎
(アルバック 半導体電子技研)
,
長田大和
(アルバック 半導体電子技研)
,
倉島優一
(産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ)
,
高木秀樹
(産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ)
,
平山秀樹
(理研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
117
号:
331(ED2017 49-71)
ページ:
55-60
発行年:
2017年11月23日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)