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文献
J-GLOBAL ID：201702245021408400
整理番号：17A1273442
統合/金型ゲートバッファによるマルチチップSiCパワーモジュールにおける金型利用と寿命の改善【Powered by NICT】
Improving the die utilization and lifetime in a multi-die SiC power module by means of integrated per-die gate buffers
Ewanchuk J.
(Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France)
,
Brandelero J.
(Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France)
,
Mollov S.
(Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISPSD ページ： 439-442 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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