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文献
J-GLOBAL ID：201702245027361708
整理番号：17A0825952
ノーマリオフC 部分的C Oチャネルを達成する2kV絶縁破壊電圧を有するHダイヤモンドMOSFET【Powered by NICT】
Normally-Off C-H Diamond MOSFETs With Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage
Kitabayashi Yuya
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Kudo Takuya
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Tsuboi Hidetoshi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Yamada Tetsuya
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Xu Dechen
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Shibata Masanobu
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Matsumura Daisuke
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Hayashi Yuya
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Syamsul Mohd
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Inaba Masafumi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Hiraiwa Atsushi
(Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
,
Kawarada Hiroshi
(Faculty of Science and Engineering and Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 3 ページ： 363-366 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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