文献
J-GLOBAL ID:201702245035300222
整理番号:17A0965757
高温アニーリングによるシリコン酸化物ナノ細孔の収縮の制御可能性【Powered by NICT】
Controllable shrinking of silicon oxide nanopores by high temperature annealing
著者 (4件):
Chen Jian
(Department of Laser Photoelectric Technology, Southwest Institute of Technical Physics, Chengdu, 610041, China)
,
Deng Tao
(School of Electronic and Information Engineering, Beijing Jiaotong University, 100044, China)
,
Liu Zewen
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
,
Haizhi Songc
(Department of Laser Photoelectric Technology, Southwest Institute of Technical Physics, Chengdu, 610041, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
CSTIC
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)