文献
J-GLOBAL ID:201702245173504457
整理番号:17A1651109
ミラー効果に基づくパワーMOSFETのその場予後法【Powered by NICT】
In-situ prognostic method of power MOSFET based on miller effect
著者 (5件):
Chen Cen
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Ye Xuerong
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Wang Han
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Zhai Guofu
(School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China)
,
Wan Ran
(Xi’an Aeronautics Computing Technique Research Institute, Xi’an, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
PHM (Harbin)
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)