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文献
J-GLOBAL ID：201702245273961774
整理番号：17A0499496
10グラムスケールのSiC@SiO2ナノワイヤ 工業化,その場成長機構およびそれらの特異な光ルミネセンスおよび電磁波吸収特性
Ten-gram scale SiC@SiO2 nanowires: high-yield synthesis towards industrialization, in situ growth mechanism and their peculiar photoluminescence and electromagnetic wave absorption properties
Li Z. J.
(Key Laboratory of Polymer Material Advanced Manufacturings Technology of Shandong Provincial, College of Electromechanical Engineering, College of Sino-German Science and Technology, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266061, P. R. China. 1984_jiankun_007@163.com)
,
Yu H. Y.
,
Song G. Y.
,
Zhao J.
,
Zhang H.
,
Zhang M.
,
Meng A. L.
,
Li Q. D.
資料名：
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19 号： 5 ページ： 3948-3954 発行年： 2017年
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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