文献
J-GLOBAL ID:201702245303994010
整理番号:17A0617235
電気化学的同時堆積で作ったCuGaS前駆物質薄膜の特性に与えるGa量の影響
Effect of Ga content on the properties of CuGaS precursor thin films produced by electrochemical Co-deposition
著者 (2件):
YILDIRIM H.
(Uludag Univ., Bursa, TUR)
,
PEKSOZ Ahmet
(Uludag Univ., Bursa, TUR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
8
ページ:
6194-6200
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)