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文献
J-GLOBAL ID：201702245553429588
整理番号：17A0403069
n型4H-SiC MOSキャパシタの界面特性に及ぼす酸化温度の影響【Powered by NICT】
Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors
Jia Yifan
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
,
Lv Hongliang
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
,
Song Qingwen
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
,
Song Qingwen
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Tang Xiaoyan
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
,
Xiao Li
(Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China)
,
Wang Liangyong
(Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China)
,
Tang Guangming
(Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China)
,
Zhang Yimen
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
,
Zhang Yuming
(School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 397 ページ： 175-182 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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