文献
J-GLOBAL ID:201702245554339423
整理番号:17A0776054
AlNバルク単結晶の湿式エッチングと赤外吸収【Powered by NICT】
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
著者 (6件):
Li Weiwei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhao Youwen
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Dong Zhiyuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yang Jun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Hu Weijie
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Ke Jianhong
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
30
号:
7
ページ:
27-30
発行年:
2009年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)