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文献
J-GLOBAL ID：201702245692597465
整理番号：17A0482469
パラジウムインターカレーションによりSiC(0001)上に成長させたエピタキシャルグラフェンの中性化
Neutralization of an epitaxial graphene grown on a SiC(0001) by means of palladium intercalation
Yagyu Kazuma
(Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan)
,
Takahashi Kazutoshi
(Synchrotron Light Application Center, Saga University, 1 Honjo, Saga 840-8502, Japan)
,
Tochihara Hiroshi
(Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan)
,
Tomokage Hajime
(Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan)
,
Suzuki Takayuki
(Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Fukuoka 814-0180, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 13 ページ： 131602-131602-5 発行年： 2017年03月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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