文献
J-GLOBAL ID:201702245755333334
整理番号:17A1645794
短チャネル対称二重ゲートオールアラウンド(DGAA)電界効果トランジスタの解析的サブしきい値電流モデル【Powered by NICT】
An analytical subthreshold current model of short-channel symmetrical double gate-all-around (DGAA) field-effect-transistors
著者 (4件):
Bhushan Shiv
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India)
,
Kumar Arun
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India)
,
Gola Deepti
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India)
,
Tiwari Pramod Kumar
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
211-215
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)