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文献
J-GLOBAL ID：201702245860873909
整理番号：17A0203780
AlGaN/GaNH EMTにおけるゲート漏れ電流の改良モデル【Powered by NICT】
Modified model of gate leakage currents in AlGaN/GaN HEMTs
Wang Yuangang
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Feng Zhihong
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Lv Yuanjie
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Tan Xin
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Dun Shaobo
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Fang Yulong
(Hebei Semiconductor Research Institute)
,
Cai Shujun
(Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 10 ページ： 107106-1-107106-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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