前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702245864600937
整理番号：17A1546645
段容量-電圧とコンダクタンス-電圧プロファイルによるシリコン(111)上のAlGaN/InGaNヘテロ界面におけるプロービングInGaN不混和性【Powered by NICT】
Probing InGaN immiscibility at AlGaN/InGaN heterointerface on silicon (111) through two-step capacitance-voltage and conductance-voltage profiles
Bag Ankush
(School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Mandi 175005, India)
,
Majumdar Shubhankar
(Advanced Technology Development Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India)
,
Das Subhashis
(School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Mandi 175005, India)
,
Biswas Dhrubes
(Advanced Technology Development Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India)
資料名：
Materials & Design
(Materials & Design)
巻： 133 ページ： 176-185 発行年： 2017年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。