文献
J-GLOBAL ID:201702245996329214
整理番号:17A0470327
GaNの合成と性質:高周波マグネトロンスパッタエピタクシーで成長させたAl層【Powered by NICT】
Preparation and properties of GaN:Al layers grown by radio-frequency magnetron sputter epitaxy
著者 (2件):
Shinoda Hiroyuki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Denki University, 5 Senju Asahi-cho, Adachi-ku, Tokyo 120-8551, Japan)
,
Mutsukura Nobuki
(Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Denki University, 5 Senju Asahi-cho, Adachi-ku, Tokyo 120-8551, Japan)
資料名:
Vacuum
(Vacuum)
巻:
138
ページ:
87-92
発行年:
2017年
JST資料番号:
E0347A
ISSN:
0042-207X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)