文献
J-GLOBAL ID:201702246148160071
整理番号:17A1272726
600Vノーマリオフ込p-ゲートGaNH EMTに基づく3レベルインバータ【Powered by NICT】
600 V normally-off p-gate GaN HEMT based 3-level inverter
著者 (2件):
Gurpinar Emre
(Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, UK)
,
Castellazzi Alberto
(Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, UK)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IFEEC 2017 - ECCE Asia
ページ:
621-626
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)