文献
J-GLOBAL ID:201702246170801827
整理番号:17A0626163
原子層堆積法により作製された,Zn-Al-O界面を有するZnO膜中の酸素空孔による,AlドープZnOに基づく可撓性透明薄膜トランジスタの高性能化
Enhanced Performance in Al-Doped ZnO Based Transparent Flexible Transparent Thin-Film Transistors Due to Oxygen Vacancy in ZnO Film with Zn-Al-O Interfaces Fabricated by Atomic Layer Deposition
著者 (7件):
LI Yang
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
YAO Rui
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
WANG Huanhuan
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
WU Xiaoming
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
WU Jinzhu
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
WU Xiaohong
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
,
QIN Wei
(Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
13
ページ:
11711-11720
発行年:
2017年04月05日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)