文献
J-GLOBAL ID:201702246238827501
整理番号:17A1622267
3C-SiC(111)表面上のGaNの2次元ヘテロエピタキシャルナノスケール系からのRHEED強度【Powered by NICT】
RHEED intensities from two-dimensional heteroepitaxial nanoscale systems of GaN on a 3C-SiC(111) surface
著者 (1件):
Daniluk Andrzej
(Department of Applied Computer Science, Institute of Computer Science, Maria Curie-Sklodowska University, pl. M. Curie-Sklodowskiej 1, Lublin 20-031, Poland)
資料名:
Computer Physics Communications
(Computer Physics Communications)
巻:
221
ページ:
419-420
発行年:
2017年
JST資料番号:
E0081C
ISSN:
0010-4655
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)