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文献
J-GLOBAL ID：201702246692560994
整理番号：17A0047743
高性能ミリ波応用のための損傷のない中性ビームエッチングしたゲートリセス部を有するAlGaN/GaN HEMT
AlGaN/GaN HEMTs With Damage-Free Neutral Beam Etched Gate Recess for High-Performance Millimeter-Wave Applications
Lin Yen-Ku
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Noda Shuichi
(Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Lo Hsiao-Chieh
(Institute of Photonic System, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Liu Shih-Chien
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wu Chia-Hsun
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wong Yuen-Yee
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Luc Quang Ho
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang Po-Chun
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Hsu Heng-Tung
(International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Samukawa Seiji
(Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Chang Edward Yi
(Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 37 号： 11 ページ： 1395-1398 発行年： 2016年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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