文献
J-GLOBAL ID:201702246759109408
整理番号:17A0575278
有機金属アプローチによるトランジスタ技術向けの低温湿式コンフォーマルニッケルシリサイド堆積
Low-Temperature Wet Conformal Nickel Silicide Deposition for Transistor Technology through an Organometallic Approach
著者 (14件):
LIN Tsung-Han
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
MARGOSSIAN Tigran
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
DE MARCHI Michele
(EPF Lausanne, Lausanne, CHE)
,
THAMMASACK Maxime
(EPF Lausanne, Lausanne, CHE)
,
ZEMLYANOV Dmitry
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
KUMAR Sudhir
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
JEGIELSKI Jakub
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
ZHENG Li-Qing
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
SHIH Chih-Jen
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
ZENOBI Renato
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
DE MICHELI Giovanni
(EPF Lausanne, Lausanne, CHE)
,
BAUDOUIN David
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
,
GAILLARDON Pierre-Emmanuel
(Univ. Utah, Utah, USA)
,
COPERET Christophe
(ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
5
ページ:
4948-4955
発行年:
2017年02月08日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)