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文献
J-GLOBAL ID：201702246851691836
整理番号：17A0513617
265nmで発光する大面積AlNナノフォトニック光抽出構造を用いた150mW深紫外発光ダイオード
150 mW deep-ultraviolet light-emitting diodes with large-area AlN nanophotonic light-extraction structure emitting at 265 nm
Inoue Shin-ichiro
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan)
,
Tamari Naoki
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan)
,
Taniguchi Manabu
(Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 14 ページ： 141106-141106-5 発行年： 2017年04月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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