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文献
J-GLOBAL ID：201702246864372013
整理番号：17A1267823
遠赤外光検出器のためのPb_1 xSn_xTe:Inの薄膜に基づく平面障壁構造:調製と性質【Powered by NICT】
Planar barrier structures based on thin films of Pb1-xSnxTe:In for the far IR photodetector: Preparation and properties
Akimov Aleksey N.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk, Russia)
,
Ishchenko Denis V.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk, Russia)
,
Klimov Alexander E.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk, Russia)
,
Paschin Nikolai S.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk, Russia)
,
Tarasov Andrey S.
(Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia)
,
Sherstyakova Valentina N.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, Novosibirsk, Russia)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDM ページ： 30-33 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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